不同致密度MoSi2材料在700～1200 ℃的氧化行为

• 作者: 张厚安 李益民 颜建辉
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: MoSi2 致密度 氧化行为
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 18-21
• 页数: 4页
• 分类号: TG146.4
• 字数: 2029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.005

摘要

利用热重分析法,SEM和X射线技术研究了不同致密度的MoSi2材料在700～1200℃的循环氧化行为.研究结果表明:氧化480 h后,不同致密度的MoSi2材料均未发生"粉化"现象,致密度和"粉化"现象无本质关系.低致密度(85.0%)MoSi2材料氧化动力学在初始和后续阶段基本上都呈直线形,而高致密度的材料氧化动力学遵守抛物线规律.致密度为85.0%的MoSi2材料在700～1200 ℃之间氧化时,氧化温度越高,材料氧化增重逐渐减少;而致密度为90.2%和94.8%的MoSi2材料在700～1000 ℃之间,随温度升高,材料增重越多,而在1200 ℃氧化时,增重最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜建辉	湖南科技大学机电工程学院	62	412	13.0	16.0
3	张厚安	湖南科技大学机电工程学院	67	437	12.0	15.0
4	李益民	中南大学粉末冶金国家重点实验室	120	832	15.0	17.0