硅薄膜晶化机制的光学分析

• 作者: 卢景霄 周伶俐 张丽伟 李瑞 李红菊 杨仕娥 王红娟 谷锦华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTP CFP 拉曼光谱 硅薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 344-347,367
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2686字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.02.023

摘要

采用拉曼光谱和分光光度计等测试手段,对快速光热过程(RTP)和常规炉过程(CFP)退火后的硅薄膜结构性能和光学性能进行了研究.用Avrami-Mehl-Johnson和Monte Carlo晶体生长模型和黑体辐射理论分析得出,RTP法退火温度低、速度快的原因,是RTP中不仅存在"光量子效应",而且还存在"光热相长效应".由光学带隙的计算得知,RTP退火法可使带隙约为1.7eV的非晶硅薄膜变为带隙约为1.28eV的微晶硅薄膜,说明RTP退火达到了较好的结晶效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丽伟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	17	90	7.0	9.0
5	谷锦华	郑州大学材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
6	卢景霄	郑州大学材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
7	李红菊	郑州大学材料物理教育部重点实验室	7	32	3.0	5.0
8	李瑞		22	64	5.0	6.0
9	王红娟	郑州大学材料物理教育部重点实验室	11	133	7.0	11.0
10	周伶俐		1	2	1.0	1.0