LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

• 作者: 刘肃 岳红菊 张春林 李颖弢 王方聪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: OLEDs LiF 电容
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 512-515
• 页数: 4页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 818字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.003

摘要

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED), 可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度.文章主要对OLEDs (A): Al/Alq3/ITO和(B): Al /LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1 nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72 500 pF减小到12 500 pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春林	兰州大学物理科学与技术学院	12	13	2.0	3.0
2	刘肃	兰州大学物理科学与技术学院	68	261	9.0	11.0
3	王方聪	兰州大学物理科学与技术学院	4	8	2.0	2.0
4	李颖弢	兰州大学物理科学与技术学院	4	0	0.0	0.0
5	岳红菊	兰州大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0