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摘要:
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细的实验研究,最后成功地制备出硅基PZT压电薄膜微传感器样品.这对集成化芯片系统的进一步发展打下了良好的实验基础.
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文献信息
篇名 硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 锆钛酸铅 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀
年,卷(期) 2007,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 778-782
页数 5页 分类号 TN405
字数 4195字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.030
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研究主题发展历程
节点文献
锆钛酸铅
压电薄膜
微传感器
湿法化学刻蚀
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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