ITO薄膜的微结构表征及其组分特性

• 作者: 孙兆奇 宋学萍 曹春斌 江锡顺 蔡琪
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 直流磁控溅射 微结构 组分
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 195-199
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.03.005

摘要

用直流磁控溅射法制备了氧铟锡(ITO)薄膜.采用XRD、TEM、XPS对薄膜的微结构和化学组分进行了测试分析.分析结果表明:制备的薄膜中,Sn元素已固溶到In2O3晶格形成了多晶ITO.延长退火时间,薄膜的结晶度增加,SnO被氧化为SnO2并逐渐达到饱和,薄膜表面先失氧后附氧,膜中氧空位含量先增加后减少.退火1h后,薄膜具有最低电阻率(6×10-4 Ω·cm)和高可见光平均透射率(93.2%).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋学萍	安徽大学物理与材料科学学院	63	367	10.0	14.0
2	孙兆奇	安徽大学物理与材料科学学院	91	563	11.0	16.0
3	曹春斌	安徽农业大学理学院	14	85	4.0	9.0
4	蔡琪	安徽大学物理与材料科学学院	16	143	7.0	11.0
5	江锡顺	滁州学院电子信息工程系	13	88	4.0	9.0