PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理

• 作者: 吴惠桢 徐天宁 斯剑霄 曹春芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PbSe薄膜 迁移率 光学波散射
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 99-102
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.022

摘要

采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.