p型氮化镓不同掺杂方法研究

• 作者: 刘建平 李彤 沈光地 牛南辉 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: p-氮化镓 δ掺杂 原子力显微镜 金属有机物化学气相淀积
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1123-1124,1131
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1572字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.07.022

摘要

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学电子信息与控制工程学院	192	1444	18.0	29.0
2	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	57	219	7.0	10.0
3	韩军	北京工业大学电子信息与控制工程学院	39	181	7.0	11.0
4	邢艳辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	20	59	5.0	6.0
5	刘建平	北京工业大学电子信息与控制工程学院	5	34	3.0	5.0
6	牛南辉	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	49	5.0	7.0
7	李彤	北京工业大学电子信息与控制工程学院	8	25	3.0	4.0