硼掺杂对μc-Si:H薄膜微结构和光电性能的影响

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 杨根 汪昌州 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p型氢化微晶硅薄膜 掺硼比 晶化率 电导率
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 123-128
• 页数: 6页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2516字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.01.028

摘要

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了掺硼氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,研究了硼掺杂对薄膜的结晶状况、沉积速率、暗电导率和光学带隙的影响.拉曼光谱、扫描电子显微镜、分光光度计和电导率测试结果表明:当掺硼比(B2H6/SiH4)由0.1%增加到0.75%时,硅膜的晶化率逐渐降低,并由微晶向非晶过渡;沉积速率随掺硼比的增加线性增大;暗电导率先升高后下降,当掺硼比为0.5%时,暗电导率最大;光学带隙随掺硼比的增加逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郜小勇	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	52	301	10.0	14.0
2	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
3	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
4	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
5	汪昌州	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	34	2.0	3.0
6	杨根	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	7	39	4.0	6.0