超高温度系数V0.97W0.03O2多晶薄膜的制备研究

• 作者: 但迪迪 李金华 袁宁一 谢太斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二氧化钒薄膜 薄膜掺杂 离子束增强沉积
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1790-1795
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.095

摘要

将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300 K)时的电阻.温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBED V0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.