InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究

• 作者: 刘跳 李献杰 林涛 江李 蔡道民 赵永林 马晓宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP 双异质结晶体管 自对准
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 391-393
• 页数: 3页
• 分类号: TN32
• 字数: 1777字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.100

摘要

介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永林		12	39	3.0	5.0
2	刘跳		4	7	2.0	2.0
3	林涛	中国科学院半导体研究所	31	404	9.0	19.0
4	李献杰		19	74	6.0	7.0
5	马晓宇	中国科学院半导体研究所	6	36	4.0	6.0
6	蔡道民		13	43	3.0	6.0
7	江李	中国科学院半导体研究所	3	9	2.0	3.0