氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜稳定性的研究进展

• 作者: 匡跃军 吴志明 廖乃镘 李世彬 李伟 蒋亚东
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 化学
• 关键词: 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 4022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2007.05.006

摘要

氢化非晶硅(a-Si:H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一.介绍了a-Si:H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si:H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了先致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si:H薄膜稳定性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
3	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
4	李世彬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	91	6.0	9.0
5	廖乃镘	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	66	5.0	8.0
6	匡跃军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	48	4.0	5.0