半绝缘GaAs光电导开关的延迟偶极畴工作模式

• 作者: 施卫 田立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘GaAs光电导开关 耿效应 自激振荡 延迟偶极畴
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体学报
• 页码范围: 819-822
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 字数: 523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.06.001

摘要

基于转移电子效应提出半绝缘光电导开关延迟偶极畴工作模式,理论分析了强场下开关的周期性减幅振荡.指出开关的周期性减幅振荡是由于外电路的自激振荡和开关的转移电子振荡共同作用引起的.开关的偏置电场在交流电场的调制下,当畴到达阳极时,开关电场下降到低于耿氏阈值电场ET而高于维持电场ES(维持畴生存所需的最小电场),开关将工作于延迟偶极畴模式.进而从理论和实验两方面指出半绝缘GaAs光电导开关是一种光注入畴器件,光生载流子的产生使得载流子浓度与器件长度乘积满足产生空间电荷畴所需的条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	田立强	西安理工大学应用物理系	8	96	5.0	8.0