Si(111)衬底上3C-SiC的固源MBE异质外延生长

• 作者: 刘忠良 刘金锋 徐彭寿 汤洪高 王科范
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 碳化 固源分子束外延 反射高能电子衍射
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TN304.054
• 字数: 4320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.01.002

摘要

国内首次利用固源分子束外延(MBE)技术,在衬底温度为1100 ℃时,以Si(111)为衬底成功地外延生长出了3C-SiC单晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)以及原位反射高能电子衍射(RHEED)等手段研究了外延薄膜的晶型、结晶质量、外延膜与衬底的外延取向关系,并考察了薄膜制备过程中衬底的碳化对薄膜质量的影响.结果表明,外延膜与衬底晶格取向完全一致;碳化可以减小SiC和衬底Si之间的晶格失配、释放应力、引入成核中心,有利于薄膜单晶质量的提高;碳化温度存在最佳值,这一现象与成核过程有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	刘忠良	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	101	6.0	9.0
3	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0
4	汤洪高	中国科学技术大学材料系	20	254	8.0	15.0
5	王科范	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	8	45	3.0	6.0