400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究

• 作者: 宫辉 李裕熊 李金 杨世明 谢小希 邵贝贝 龚光华
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: BESⅢ RADFET剂量计 累积剂量测量 辐照强度相关性 退火
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 探测器与实验方法
• 页码范围: 283-287
• 页数: 5页
• 分类号: O57
• 字数: 3485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2007.03.012

摘要

RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量.探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握.本工作以60Co γ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵贝贝	清华大学工程物理系	62	442	13.0	19.0
2	龚光华	清华大学工程物理系	21	64	4.0	6.0
3	李金	中国科学院高能物理研究所	49	130	6.0	9.0
4	宫辉	清华大学工程物理系	13	38	4.0	5.0
5	谢小希	中国科学院高能物理研究所	8	12	2.0	3.0
6	杨世明	清华大学工程物理系	6	26	4.0	5.0
7	李裕熊	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	15	47	5.0	5.0