双生长室超高真空化学气相淀积系统的研制

• 作者: 余金中 成步文 曾玉刚 王启明 韩根全
• 来源期刊: 真空
• 学科: 物理学
• 关键词: 双生长室 化学气相淀积 准分子激光器
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 5246字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2007.03.006

摘要

本文介绍了中国科学院半导体研究所的双生长室超高真空化学气相淀积系统的工作原理、技术参数、结构、性能及特点.该系统具有双生长室、引入准分子激光和多态源等主要优点,是Ⅳ族半导体材料生长和研究的强有力工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩根全	中国科学院半导体研究所	5	6	2.0	2.0
2	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
3	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
4	成步文	中国科学院半导体研究所	41	185	8.0	10.0
5	曾玉刚	中国科学院半导体研究所	12	28	2.0	5.0