快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响

• 作者: 杨富宝
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 快速热退火 表面光电压 少数载流子 氧化硅片 铁含量
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与没备
• 页码范围: 178-181
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.02.022

摘要

研究了快速热退火(RTA)对表面光电压SPV法测试氧化硅片中铁的影响.结果表明,氧化硅片在1100℃的条件下RTA 3min后,SPV测出的铁含量大幅度地减小.由于RTA的均匀化作用,氧化硅片表层的铁浓度显著低于氧化刚结束时硅片表层的铁浓度.根据SPV测试理论,从硅片表面到少数载流子产生处这一区域的铁浓度最终决定了铁含量的测试结果,即硅片表层的铁含量代表了整个硅片的铁含量.因此,氧化硅片经RTA处理后,SPV测出的铁含量大幅度地减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨富宝		3	0	0.0	0.0