C+注入a-SiNx:H薄膜的微结构及光发射的研究

• 作者: 刘渝珍 张国斌 徐彭寿 符义兵 董立军 陈大鹏 陈超
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiCN C+离子注入 高温退火 X射线光电子能谱(XPS) 光致发光(PL)
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 579-584
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2552字
• 语种: 中文

摘要

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C+注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱(XPS)及 X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿		70	488	10.0	19.0
2	陈大鹏	中国科学院微电子研究所	79	466	10.0	17.0
3	张国斌		44	298	10.0	15.0
4	符义兵		4	18	3.0	4.0
5	董立军	中国科学院微电子研究所	11	46	4.0	6.0