电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响

• 作者: 孙惠卿 李述体 范广涵 邢海英 郑品棋 郑树文
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 减吸收 能流传输分析 p-GaN 抗全反射
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 727-731
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.013

摘要

光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
3	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
4	郑品棋	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	17	1.0	2.0
5	孙惠卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	2	9	1.0	2.0
6	邢海英	华南师范大学光电子材料与技术研究所	7	51	4.0	7.0