实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(上)

• 作者: 张元敏 方波 蔡子亮
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: Power MOSFET 开关特性 开通 关断 密勒效应
• 年，卷（期）: 2007,（21）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2007.21.060

摘要

针对实际应用中Power MOSFET开关工作状况与现有文献的描述有很大不同,使用不当易造成器件的损坏和设备的崩溃这一现象,在应用条件下对Power MOSFET开关特性进行了研究,深入分析了Power MOSFET的开关过程,提出了关于开关过程四阶段的新观点,并采用对开关过程的等效输入电容进行分段线性化的新方法对不同阶段的开关参数进行了计算,搭建了开关特性实验电路,实验结果表明,提出的Power MOSFET开关过程四阶段的新观点是正确的,等效输入电容分段线性化的新方法是合理的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张元敏	许昌学院电信学院	78	465	12.0	18.0
2	方波	许昌学院电信学院	25	177	8.0	12.0
3	蔡子亮	许昌学院电信学院	33	306	10.0	17.0