GaN基p-i-n结构紫外光探测器

• 作者: 冯士维 吕长志 张小玲 李志国 谢雪松
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN p-i-n结构 紫外探测器
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.4
• 字数: 1826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.009

摘要

用反应分子束外延(RMBE)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN p-i-n结构,应用常规的半导体工艺制成了紫外光探测器,测试结果显示其正向导通电压为4.6 V,反向击穿电压大于40 V;室温下反偏3 V时的暗电流为6.68 pA,峰值响应度0.115 A/W出现在367 nm处;400 nm处的响应度为6.59×10-5A/W,比峰值响应度低四个量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志国	北京工业大学电控学院可靠性物理研究室	57	418	12.0	18.0
2	吕长志	北京工业大学电控学院可靠性物理研究室	60	471	12.0	18.0
3	冯士维	北京工业大学电控学院可靠性物理研究室	59	438	12.0	18.0
4	谢雪松	北京工业大学电控学院可靠性物理研究室	66	554	14.0	20.0
5	张小玲	北京工业大学电控学院可靠性物理研究室	69	447	11.0	18.0