3-D寄生电容的HOC-ADI提取方法

• 作者: 于宗光 刘战 王国章 须自明
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ADI 高阶紧致差分 寄生电容
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1208-1210
• 页数: 3页
• 分类号: TN402
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.020

摘要

采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息工程学院	89	354	9.0	14.0
5	王国章	江南大学信息工程学院	12	83	4.0	9.0
7	须自明	江南大学信息工程学院	12	113	4.0	10.0
8	刘战	江南大学信息工程学院	14	116	4.0	10.0