基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
利用电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射技术,在Si(111)片表面制备了ZrN薄膜.研究发现,随着ICP功率的增大,基片的电流密度增大,薄膜的致密度增大,粗糙度降低.XRD结果表明:当ICP功率在0 W~300 W之间,薄膜为单一的ZrN结构,硬度随着ICP功率的增大而增大,在ICP=300 W时达到最大值32 GPa,应力保持在-8 GPa左右;当ICP功率在400 W~500 W,薄膜为ZrN和ZrNx复合结构.硬度和应力分别降低到20 GPa和-3 GPa.薄膜的这些性能的变化是由于ICP功率变化引起结构变化造成的.
推荐文章
感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究
感应耦合等离子体
磁控溅射
ZrN
微结构
PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能
PZT铁电薄膜
射频磁控溅射
退火温度
磁控溅射沉积U薄膜性能研究
U薄膜
组织
结构
密度
直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究
氧化铟锡薄膜
磁控溅射
方块电阻
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 电感耦合等离子体(ICP)辅助射频磁控溅射沉积ZrN薄膜的结构和性能研究
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 电感耦合等离子体 磁控溅射 ZrN 微结构 纳米硬度
年,卷(期) 2007,(6) 所属期刊栏目 技术交流
研究方向 页码范围 526-530
页数 5页 分类号 TG174.444|TG174.4
字数 2300字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2007.06.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘峰 中科院等离子体研究所 7 36 4.0 5.0
2 孟月东 中科院等离子体研究所 6 20 3.0 4.0
3 任兆杏 中科院等离子体研究所 3 9 2.0 3.0
4 沈克明 中科院等离子体研究所 1 1 1.0 1.0
5 舒兴胜 中科院等离子体研究所 2 2 1.0 1.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (6)
共引文献  (4)
参考文献  (14)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1986(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1989(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1994(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1997(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
1999(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2000(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2003(5)
  • 参考文献(5)
  • 二级参考文献(0)
2004(2)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(0)
2006(3)
  • 参考文献(2)
  • 二级参考文献(1)
2007(2)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
2009(1)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(1)
2007(3)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(2)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
2007(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电感耦合等离子体
磁控溅射
ZrN
微结构
纳米硬度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空科学与技术学报
月刊
1672-7126
11-5177/TB
大16开
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
1981
chi
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
  • 期刊分类
  • 期刊(年)
  • 期刊(期)
  • 期刊推荐
论文1v1指导