化学气相沉积铝掺杂碳化硅的微波介电特性

• 作者: 周万城 朱冬梅 李智敏 罗发 苏晓磊
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 碳化硅 介电性能
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1831-1833
• 页数: 3页
• 分类号: TB34
• 字数: 1725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.11.025

摘要

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为原料,三甲基铝(Al(CH3)3,TMA)为掺杂源,氢气和氩气分别作为两者的载气,氩气同时作为稀释气以常压化学气相沉积在石墨基体上沉积碳化硅涂层.采用XRD、EDS和介电性能测试,结果表明铝已经进入碳化硅晶格中并占据硅的位置,同时引起介电常数实部和虚部有不同程度的增大,这可能是由于SiC中固溶了Al原子,在掺杂后的SiC中形成大量的带电缺陷,这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流和强烈的极化弛豫.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱冬梅	西北工业大学国家重点凝固实验室	131	940	15.0	22.0
2	罗发	西北工业大学国家重点凝固实验室	168	1535	19.0	30.0
3	周万城	西北工业大学国家重点凝固实验室	206	1931	22.0	34.0
4	李智敏	西北工业大学国家重点凝固实验室	11	139	5.0	11.0
5	苏晓磊	西北工业大学国家重点凝固实验室	12	129	6.0	11.0