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摘要:
根据半导体器件的设计特点和设计原则,对600 A/3 000 V非对称型门极换流晶闸管进行了结构参数的优化设计,得到了材料参数与结构参数的关系.阴极采用条状同心环单元发射极排列结构,不仅可以提高单元承受应力的能力,而且可使单元均匀性得到改善.应用数值分析,使器件的透明阳极和缓冲层等关键结构的掺杂分布、区域宽度以及少子寿命得到优化,计算结果满足设计的要求.
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文献信息
篇名 非对称型门极换流晶闸管的优化设计
来源期刊 哈尔滨工程大学学报 学科 工学
关键词 功率半导体器件 优化设计 门极换流晶闸管 缓冲层 透明阳极
年,卷(期) 2007,(9) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1044-1047
页数 4页 分类号 TN342.4
字数 3401字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-7043.2007.09.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王颖 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 55 237 9.0 13.0
2 赵春晖 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 364 3419 27.0 39.0
3 邵雷 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 5 13 2.0 3.0
4 曹菲 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院 3 8 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
功率半导体器件
优化设计
门极换流晶闸管
缓冲层
透明阳极
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
哈尔滨工程大学学报
月刊
1006-7043
23-1390/U
大16开
哈尔滨市南岗区南通大街145号1号楼
14-111
1980
chi
出版文献量(篇)
5623
总下载数(次)
16
总被引数(次)
45433
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