InGaAs应变减少层对InAs量子点发光波长红移的影响

• 作者: 任晓敏 俞重远 刘玉敏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变减少层 量子点 电子结构
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 页码范围: 1031-1034,1038
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.05.015

摘要

用有限元法对InAa/GaAs量子点材料的应变分布进行了研究,特别强调了三元化合物In0.2Ga0.8As应变减少层对各个应变分量的影响.在应变减少层作用下沿着平行生长方向和垂直于生长方向的应变分量增强;对电子结构有重要影响的静水应变和双轴应变分量也得到了增强.采用八带k·p理论,研究了在有应变减少层的条件下,应变对带边的影响,计算结果表明,与没有应变减少层相比,应变导致带隙变窄,定性解释了实验观察到的发光波长红移现象.通过调整相关参数,可以采用应变减少层技术实现光纤通信系统用的长波长发射激光器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任晓敏	北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室	189	942	13.0	18.0
2	刘玉敏	北京邮电大学理学院	36	223	10.0	13.0
6	俞重远	北京邮电大学理学院	49	260	10.0	12.0