制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究

• 作者: 刘兴刚 张丛春 杨春生 石金川
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu互连 空气气隙 牺牲层材料 低介电常数 电容
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 768-770,775
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.09.009

摘要

为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构.用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径.