用于太阳电池吸收层的Cu2ZnSnS4薄膜的制备及其光电特性

• 作者: 付玉军 张军 贺德衍 邵乐喜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu2ZnSnS4 真空蒸镀 硫化 太阳电池刎
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 337-340
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.085

摘要

采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对样品进行了表征分析,研究了前驱体中预计原子比对CZTS薄膜的晶体结构及光电特性的依赖关系.通过对蒸发源Cu的质量的控制与微调,获得了具有单一相类黝锡矿结构的CZTS薄膜,其对可见光的光吸收系数大于104cm-1、光学禁带宽度约为1.51eV,薄膜的电阻率、载流子迁移率和载流子浓度分别为1.46Ω·cm,4.2cm2/(V·s)和2.37×1018cm-3,适合作为薄膜太阳电池的吸收层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
2	张军	湛江师范学院物理科学与技术学院	65	414	11.0	18.0
6	邵乐喜	湛江师范学院物理科学与技术学院	22	106	6.0	9.0
7	付玉军	兰州大学物理科学与技术学院	8	51	4.0	7.0