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摘要:
分析比较了基于矩形凹槽模型、圆孔隧道模型、正立方孔隧道模型计算出的中、高压电子铝箔腐蚀系数与KDK公司(H100)形成箔实际腐蚀系数的关系.结果表明:中、高压电子铝箔真实理论极限腐蚀系数应介于正立方孔-圆孔理论极限腐蚀系数之间.中压电子铝箔(220~485 V)通过电蚀扩面提高化成箔比电容余地还很大,高压电子铝箔(>485 V)的实际腐蚀系数与理论极限腐蚀系数已经很接近,通过电蚀扩面提高比电容的余地较小.
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文献信息
篇名 中高压电子铝箔腐蚀系数的研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 电子技术 腐蚀系数 电蚀 电子铝箔 铝电解电容器 比电容
年,卷(期) 2007,(8) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 28-30
页数 3页 分类号 TM535
字数 2172字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.08.008
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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