张应力对FeCoSiB非晶薄膜磁特性的影响

• 作者: 张万里 彭斌 沈博侃 蒋洪川 谢巧英
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: FeCoSiB非晶薄膜 应力 磁各向异性 磁畴 矫顽力
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 256-258
• 页数: 3页
• 分类号: TM271
• 字数: 1647字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2007.02.027

摘要

采用磁控溅射方法,在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜,研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响.结果表明,薄膜的畴结构显著依赖于张应力,其磁畴宽度随张应力增加而增加;张应力导致FeCoSiB薄膜内形成较强的磁各向异性,其各向异性随应力的增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
4	谢巧英	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	沈博侃	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	6	2.0	2.0