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摘要:
在850 nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400 nm×400 nm时,在25 mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3 mW,功率密度约为2 mW/μm2.文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析.
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文献信息
篇名 纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 近场光学 纳米孔径垂直腔面发射激光器 输出光功率 光学特性
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 265-268
页数 4页 分类号 TN248.4
字数 1733字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈良惠 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 59 338 11.0 15.0
2 宋国峰 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 22 88 6.0 8.0
3 徐云 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 79 411 13.0 16.0
4 高建霞 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 2 4 1.0 2.0
5 郭宝山 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 5 9 2.0 2.0
6 甘巧强 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室 2 4 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
近场光学
纳米孔径垂直腔面发射激光器
输出光功率
光学特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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