正装、倒装结构GaN 基LED提取效率分析

• 作者: 刘志强 王良臣
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基LED 提取效率 Monte-Carlo 模拟
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 775-778
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 3030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.012

摘要

从几何和物理光学角度分析了影响GaN基LED提取效率的因素,并以理论分析为基础,利用Monte-Carlo光线追踪的方法,对GaN基LED的提取效率进行模拟,比较不同器件结构对LED提取效率的影响.模拟结果表明,采用倒装结构可以显著提高GaN基LED的提取效率,Ni/Au透明电极透射率为0.6～0.9时,相对于普通正装结构,倒装结构可以使LED提取效率提高39%～16%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志强	中科院半导体研究所集成技术中心	1	29	1.0	1.0
2	王良臣	中科院半导体研究所集成技术中心	2	35	2.0	2.0