硅(100)晶面的凸角腐蚀及其补偿

• 作者: 周丽玲 梁秀萍 闫卫平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 各向异性腐蚀 凸角补偿 氢氧化钾腐蚀液
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: MEMS器件与技术
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12|TG174.33
• 字数: 1378字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.02.008

摘要

在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象.凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关.针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了与理论分析结果相一致的直角凸面补偿效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁秀萍	大连理工大学物理系	20	75	5.0	7.0
2	闫卫平	大连理工大学电子与信息工程学院	57	328	9.0	14.0
3	周丽玲	大连理工大学电子与信息工程学院	1	9	1.0	1.0