二氧化锡纳米梭阵列的合成与场发射特性研究

• 作者: 李俊杰 王宗利 郑陶雷 陈媚媚 顾长志
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射 二氧化锡纳米梭阵列 热蒸发
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 672-676
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.95
• 字数: 2610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.006

摘要

利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列,并研究其场致电子发射特性.研究结果表明,所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构,可以通过反应时间的不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列,从而实现可控生长.在研究场致电子发射方面,我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能,开启电场为1.4 V/μm,对应的发射电流密度为10 μA/cm2;当电场强度为7.4 V/μm时,发射电流密度高达2.48 mA/cm2.这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵列分布比较均匀造成的.测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段,我们认为这是由于在不同的电场下,发射电流由不同高度的梭形结构引起的,不同高度的梭形结构由于长径比不同因而具有不同的场增强因子,从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾长志	中国科学院物理研究所	21	86	5.0	8.0
2	李俊杰	中国科学院物理研究所	37	329	7.0	17.0
3	郑陶雷	北京交通大学电子信息工程学院	3	12	2.0	3.0
4	陈媚媚	北京交通大学电子信息工程学院	1	5	1.0	1.0
5	王宗利	中国科学院物理研究所	1	5	1.0	1.0