Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能

• 作者: 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 朱丽萍 简中祥 赵炳辉 高国华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnMgO p型掺杂 薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 425-429
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.03.020

摘要

利用直流反应磁控溅射法,以N2O为N掺杂源,用Al-N共掺技术制备了p型Zn0.95Mg0.05O薄膜.用X射线衍射分析(XRD)、Hall测试仪和紫外可见(UV)透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析.XRD分析结果表明,Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向,Hall测试的结果所得p型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58.5Ω·cm,载流子浓度为1.95×1017 cm-3,迁移率为0.546cm2/(V·s),UV透射谱所推出的薄膜禁带宽度中,纯ZnO,p型Zn0.95Mg0.05O和p型Zn0.9Mg0.1O分别为3.34,3.39和3.46eV,可以看出Mg在ZnO禁带宽度中起了调节作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	简中祥	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
5	高国华	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	8	1.0	2.0
6	卢洋藩	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	30	3.0	5.0
7	曾昱嘉	浙江大学硅材料国家重点实验室	10	71	5.0	8.0