锰掺杂CBT压电陶瓷的交流阻抗谱研究

• 作者: 丁爱丽 李国荣 殷庆瑞 郑嘹赢 顾大国
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 交流阻抗谱 电阻率 压电陶瓷
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TM282
• 字数: 2126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.10.006

摘要

通过固相反应法制备了锰掺杂的CaBi4Ti4O15 陶瓷,掺杂量x(MnCO3)从0到3.0%.添加锰以后,材料的直流电阻率先升高,再降低.通过交流阻抗谱分析,得到了各组分晶粒、晶界对电导的贡献.发现在少量掺杂时,锰原子同时进入晶粒及晶界,并改善高温下的导电性能.掺杂量为1.0% 时,直流电阻率最大.但当x(MnCO3)大于3.0% 时,锰原子开始富集于晶界,使材料性能恶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁爱丽	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	136	6.0	11.0
2	李国荣	中国科学院上海硅酸盐研究所	49	676	14.0	24.0
3	郑嘹赢	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	109	6.0	10.0
4	殷庆瑞	中国科学院上海硅酸盐研究所	49	684	15.0	24.0
5	顾大国	中国科学院上海硅酸盐研究所	1	7	1.0	1.0