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摘要:
提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件--压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.
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文献信息
篇名 栅耦合型静电泄放保护结构设计
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 静电泄放 栅耦合 金属氧化物半导体场效应管 压焊块电容
年,卷(期) 2007,(12) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 7242-7247
页数 6页 分类号 O4
字数 2360字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.12.072
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张兴 北京大学微电子研究院 120 618 12.0 20.0
2 贾嵩 北京大学微电子研究院 19 79 5.0 8.0
3 吉利久 北京大学微电子研究院 47 298 11.0 15.0
4 孙磊 北京大学微电子研究院 21 170 7.0 12.0
5 王源 北京大学微电子研究院 20 87 5.0 9.0
6 张钢刚 北京大学微电子研究院 9 16 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
静电泄放
栅耦合
金属氧化物半导体场效应管
压焊块电容
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
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2-425
1933
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