CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 辐照后CMOS器件 等时退火 等温退火 激发能
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 232-236
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.02.022

摘要

对CMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行研究,给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系.根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100 ℃等温和25～250 ℃等时退火过程中激发能的分布.结果表明:25、100 ℃等温退火激发能范围为0.65～0.76 eV和0.75～0.95 eV;25～250 ℃等时退火的激发能范围在0.5～1.1 eV之间,峰值位于0.81 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	陈伟		95	286	8.0	11.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	姚志斌		35	171	8.0	10.0