基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
SET协议和3-D Secure协议的比较与分析
SET协议
3-D Secure协议
安全性
数字签名
口令
成功可以从90岁开始起步
里斯本
葡萄牙
美国
基于TSV技术的CIS芯片晶圆级封装工艺研究
3DIC
CIS
TSV
晶圆级封装工艺流程
化学镀
镍滋生
3-D叠层芯片封装技术
3-D
叠层封装
互连
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 3-D TSV芯片开始起步
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2007,(9) 所属期刊栏目 封装与测试
研究方向 页码范围 47-48
页数 2页 分类号 TN4
字数 1012字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2583.2007.09.018
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2007(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
2014(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
总被引数(次)
4205
论文1v1指导