1.3 μm量子阱结构SLD的一次光刻工艺研究

• 作者: 吴天伟 武斌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 超辐射发光二极管 量子阱 光刻
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 354-356
• 页数: 3页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.03.014

摘要

量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性.简要介绍了一种1.3 μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍.通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴天伟		1	0	0.0	0.0
2	武斌		2	2	1.0	1.0