溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响

• 作者: 何海平 叶志镇 朱丽萍 王敬蕊 胡少华 赵炳辉 马全宝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Ga 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 285-288
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304.2
• 字数: 2608字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.072

摘要

通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱丽萍	浙江大学硅材料国家重点实验室	39	267	10.0	15.0
2	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
3	何海平	浙江大学硅材料国家重点实验室	19	71	5.0	7.0
4	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
5	胡少华	浙江大学硅材料国家重点实验室	13	93	4.0	9.0
6	马全宝	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	22	2.0	3.0
7	王敬蕊	浙江大学硅材料国家重点实验室	4	16	2.0	4.0