P型HgCdTe离子刻蚀成结机理分析

• 作者: 姚英
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: HgCdTe 环孔工艺 离子刻蚀 P-N结
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 71-75
• 页数: 5页
• 分类号: TN213
• 字数: 5278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.003

摘要

从微观理论对P型HgCdTe离子刻蚀成结的过程、机理进行了分析,提出HgCdTe环孔P-N结的汞原子扩散-补偿模型、P-N结的汞原子扩散-补偿-剩余施主杂质模型,提出并讨论了离子刻蚀技术形成环孔型P-N结和平面型P-N结的汞原子扩散激活能、扩散汞原子总量、扩散范围、扩散系数、有效汞原子系数等关键物理参数与工艺参数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚英		3	8	2.0	2.0