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SiGe半导体推出全球最纤薄的Wi-Fi~功率放大器
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摘要：
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基于 SiGe HBT的射频功率放大器
功率放大器
SiGe异质结双极型晶体管
功率
S参数
基于 SiGe 工艺的线性功率放大器设计
SiGe HBT工艺
线性
功率放大器
自适应偏置
基于新一代半导体GaN的高效率功率放大器的研制
GaN
功率匹配
高效率功率放大器
通信系统
Doherty功率放大器研究与设计
功率放大器
Doherty功率放大器
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期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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