Li嵌入对V2O5电子结构及光学性质的影响

• 作者: 吴启辉 周昌杰 康俊勇 李志阳 林伟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 V2O5 Li嵌入 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O471.5
• 字数: 907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.01.001

摘要

采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响.计算结果表明,V2O5是间接带隙半导体,Li的嵌入并没有改变其电子的跃迁方式.但Li的嵌入使得V2O5导带能量下移,禁带宽度减小,导带中原有的劈裂被分裂的能级填满;同时致使价带出现展宽.电子态密度计算结果表明Li的嵌入对临近的O和V的电子结构有较大的影响.Li 2s电子的注入提高了V2O5的费米能级并导致其进入导带.由于价带中的电子只能跃迁到费米能级以上的导带空能级,这致使体系实际的光学带隙增大.同时随着Li注入量的进一步增加,价带的展宽更为明显,费米能级亦呈升高的趋势,使得光学带隙随着Li注入量的增加而增大.