SiNx和SiNx/SiOx薄膜的荧光和红外吸收光谱研究

• 作者: 徐明 纪红萱 陈卫东
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: SiNx 薄膜 SiOx 光致发光 红外吸收
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TH74
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2007.04.005

摘要

采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜.直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800℃时发光强度达到最高.傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少.分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐明	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所低维结构物理实验室	17	78	6.0	8.0
2	陈卫东	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所低维结构物理实验室	8	38	3.0	6.0
3	纪红萱	四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所低维结构物理实验室	2	5	1.0	2.0