带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化

• 作者: 张波 李琦 李肇基
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p埋层 表面注入 表面电场 击穿电压 模型
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1267-1271
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.020

摘要

提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with p buried layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明:与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.