采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌

• 作者: 刘喆 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si衬底 AlN缓冲层 GaN 形貌 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 230-233
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.057

摘要

针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	251	4235	35.0	54.0
2	王晓亮	中国科学院半导体研究所材料科学中心	38	212	9.0	12.0
3	胡国新	中国科学院半导体研究所材料科学中心	13	83	4.0	8.0
4	李晋闽	中国科学院半导体研究所材料科学中心	75	652	13.0	23.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所材料科学中心	85	439	11.0	16.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所材料科学中心	32	155	8.0	10.0
7	刘喆	中国科学院半导体研究所材料科学中心	16	86	6.0	8.0