Ⅰ-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性

• 作者: 唐新峰 张清杰 熊聪 邓书康
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅰ-型笼合物 Seebeck系数 电导率
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 553-557
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.015

摘要

用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张清杰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	97	1071	18.0	27.0
2	唐新峰	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	78	440	12.0	18.0
3	邓书康	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	8	31	3.0	5.0
4	熊聪	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	6	55	4.0	6.0