sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

• 作者: 刘财坤 李金丽 邓宏 陈金菊 韦敏
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 sol-gel法 ZnO薄膜压敏电阻 掺杂 压敏性能
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 40-41,44
• 页数: 3页
• 分类号: TM283
• 字数: 1551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.06.013

摘要

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻.薄膜由旋涂法制备,并在300 ℃下预处理、600 ℃退火.制得的ZnO薄膜结晶良好.膜厚约为1 μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25 μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学微电子与固体电子学院	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学微电子与固体电子学院	72	653	14.0	22.0
3	韦敏	电子科技大学微电子与固体电子学院	15	131	7.0	11.0
4	刘财坤	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	47	3.0	3.0
5	李金丽	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	47	3.0	3.0