影响VCSOAs增益饱和特性因素分析

• 作者: 卢静 李建平 潘炜 罗广军 罗斌 蔺玉珂
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光通信 垂直腔半导体光放大器 速率方程 增益饱和
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 光通信与光信息技术
• 页码范围: 496-499,502
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 4369字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3806.2007.05.030

摘要

为了改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性,基于其结构上的特点,引入了增益增强因子,修正了边界条件,采用建立腔内光子数与输入信号光功率关系的研究方法,分析了影响垂直腔半导体光放大器增益饱和特性因素.并进行了理论分析和实验论证,取得了影响增益饱和特性的4个关键数据.结果表明,有源区截面积、顶层镜面反射率、抽运功率、自发辐射因子影响着增益饱和特性,优化相关参数,可以将输入饱和功率提高到-2dBm.这一结果对如何改善垂直腔半导体光放大器增益饱和特性是有帮助的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘炜	西南交通大学信息科学与技术学院	210	1270	17.0	25.0
2	罗斌	西南交通大学信息科学与技术学院	196	1240	15.0	26.0
3	蔺玉珂	西南交通大学信息科学与技术学院	2	6	1.0	2.0
4	李建平	西南交通大学信息科学与技术学院	4	10	2.0	3.0
5	卢静	西南交通大学信息科学与技术学院	5	11	3.0	3.0
6	罗广军	西南交通大学信息科学与技术学院	3	8	2.0	2.0