退火对锗单晶导电性能的影响

• 作者: 冯德伸 尹士平 王思爱 苏小平
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 锗单晶 退火 导电型号 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 511-514
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.04.022

摘要

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响.退火温度超过550 ℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750 ℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型.同时,退火温度超过550 ℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏小平		15	133	7.0	11.0
2	王思爱		4	26	4.0	4.0
3	冯德伸		8	53	4.0	7.0
4	尹士平		2	21	2.0	2.0